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型号: UT4N60F
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内容描述: N-CH 600V快速开关MOSFET [N-Ch 600V Fast Switching MOSFETs]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 5 页 / 3736 K
品牌: XINDEYI [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]
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UT4N60F
N-CH 600V快速开关MOSFET
概述
该UT4N60F是最高性能的沟
P沟道MOSFET的极端高密度,
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
该UT4N60F符合RoHS和绿色产品
要求, 100 %保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 %保证EAS
绿色设备可用
产品综述
BV
DSS
600V
应用
RD
秒(上)
2.2
ID
4A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
TO220F引脚配置
绝对最大额定值
G
D
S
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J1
T
英镑
T
L
参数
漏源电压
漏极电流 - 连续( TC = 25 ℃ )
- 连续(TC = 100 ℃ )
漏电流 - 脉冲
(Note1)
栅源电压
单脉冲雪崩能量(注2 )
峰值二极管恢复的dv / dt
(Note3)
功率耗散( TC = 25 ℃ )
- 减免上述25 ℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例秒
TO220F
600
4
2.8
16
±30
8.8
4.5
33
0.26
-55-150
300
团结一心
V
A
A
A
V
mJ
V / ns的
W
W/℃
热数据
符号
参数
R
θJC
热阻,结到外壳
R
θJA
热阻,结到环境
1
TYPE
--
--
最大
3.8
6.5
单位
℃/W
℃/W