数据表
半导体
DB151S THRU DB157S
单相玻璃钝化
电压范围50〜 1000
伏电流1.5安培
特点
-Surge
超载 - 60安培峰值
•理想
用于印刷电路板
可靠
成本低造价，利用模压
？玻璃
钝化装置
•极性
符号的成型体
·安装
位置：任意
·重量：
1.0克
高¡
高温焊接： 260
O
C / 10秒码头
-PB
免费产品的提供：以上符合ROHS 99 ％锡
环境物质指令的要求
SDIP
单位：英寸（毫米）
+
.255(6.5)
.245(6.2)
~
~
.011(.28)
.410(10.4)
最大
.060(1.524)
.040(1.106)
.128(3.25)
.102
(2.60)
.045(1.14)
.035(0.89)
.335(8.51)
.335(8.05)
机械数据
θepoxy
：设备具有UL可燃性分类94V- 0
UL ¡
上市公认的组件目录，文件＃ E94233
.205(5.2)
.195(5.0)
最大额定值和电气特性
？评级
在25℃环境温度下，除非另有规定。
*单
相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
➁For
容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值（在TA = 25℃除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在TA = 40
℃
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻
SYMBOL DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S单位
VRRM
VRMS
VDC
IO
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
安培
IFSM
Rqja
RqJL
TJ ， TSTG
60
40
15
-55到+ 150
安培
℃/W
℃
工作和存储温度范围
电气特性（在TA = 25℃除非另有说明）
特征
每桥最大正向电压降
元素在1.0A DC
按最大正向电压降
桥
每个元素阻断电压DC
注：后缀“-S ”表面贴装DIP大桥。
@TA = 25 ℃
@TA = 125 ℃
IR
SYMBOL DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S
VF
1.1
5.0
0.5
单位
伏
uAmps
uAmps
http://www.yeashin.com
1
REV.03 20130115
YEASHIN [ Yea Shin Technology Co., Ltd ]
