数据表
半导体
技术SPECIFCATIONS
单相硅桥式整流器
电压范围 - 50到1000伏特
KBJ （毫米）
电流 - 8.0安培
P
特点
•理想
用于印刷电路板
-Surge
超载等级：170安培峰值
高¡
高温焊接： 260
O
C / 10秒码头
-PB
免费产品的提供：以上符合ROHS 99 ％锡
环境物质指令的要求
KBJ8A THRU KBJ8M
H
C
A
B
N
_
K
J
L
M
机械数据
•案例：模压
塑料
•环氧： UL
94 -V- 0阻燃率reardant
•Terminal：MIL-STD-202E,Method
208保证
•极性：符号
模压或标记体
·安装
位置：任意
•Weight：4.6
克
E
D
R
G
KBJ
最大
民
暗淡
25.20
24.80
A
15.30
14.70
B
C
标称400
17.80
17.20
D
1.10
0.90
E
G
7.30
7.70
H
3.10ψ 3.40ψ
3.70
3.30
J
2.10
1.90
K
9.70
9.30
L
2.90
2.50
M
N
3.40
3.80
4.80
4.40
P
0.60
R
0.80
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
SYMBOL KBJ8A KBJ8B KBJ8D KBJ8G KBJ8J KBJ8K KBJ8M单位
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥lnput电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在Tc = 100 ℃
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
每件最大正向电压降在4.0A DC
最大DC反向电流在额定
每个元素阻断电压DC
的I2t额定值融合（ t<8.3ms ）
典型结电容（注1 ）
典型结电容（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
@TA=25℃
@TA=100℃
VRRM
VRMS
VDC
Io
IFSM
VF
IR
I2t
CJ
RΘJA
TJ
TSTG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
170
1.0
10
500
127
40
8.6
-55到+150
-55到+150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
安培
安培
伏
uAmps
A2Sec
PF
℃/W
℃
℃
注： 1.Measured在1 MHz和应用4.0伏的反向电压
2.Thermal电阻从每个结点上安装300x300x1.6mm铝基板散热片元件单元而定。
http://www.yeashin.com
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REV.02 20120305
YEASHIN [ Yea Shin Technology Co., Ltd ]
