MT3170B / 71B ， MT3270B / 71B ， MT3370B / 71B
绝对最大额定值
†
-
电压是相对于V
SS
= 0V ，除非另有说明。
参数
1
2
3
4
5
直流电源电压
电压的引脚（除电源外）
目前在任一引脚（除电源外）
储存温度
封装功耗
符号
V
DD
-V
SS
V
I / O
I
I / O
T
S
P
D
-65
-0.3
分钟。
马克斯。
6
6.3
10
150
500
数据表
单位
V
V
mA
°C
mW
‡超过这些数值可能会造成永久性的损害。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
推荐工作条件 -
电压是相对于V
SS
= 0V ，除非另有说明
参数
1
2
3
4
‡
符号。
V
DD
f
OSC
∆f
OSC
分钟。
4.75
典型值。
‡
5.0
4.194304
马克斯。
5.25
±0.1
单位
V
兆赫
%
测试条件
正电源。
时钟频率
振荡器频率容差
-40
25
85
°C
工作温度
T
d
典型的科幻居雷什是在25
°
C和对于辅助设计只有：不保证不受生产测试。
DC电气特性
- 电压是相对于V
DD
=5V
±
5%,V
SS
= 0V ，并且温度为-40 〜85
°
C，除非另有
说。
特征
1
2
3a
3b
4a
4b
5
6
工作电源电流
待机电源电流
输入逻辑1
输入逻辑1
（仅适用于OSC1输入）
输入逻辑0
输入逻辑0
（仅适用于OSC1输入）
输入阻抗（引脚1）
下拉电流
（ PWDN ， ACK引脚）
输出高（来源）
当前
符号。
I
DD
I
DDQ
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
R
IN
I
PD
分钟。
典型值。
‡
3
30
马克斯。
8
100
单位
mA
µA
V
V
测试条件
PWDN = 5V ， ACK = 0V
EST / DSTD = SD = 0V
MT327xB/MT337xB
4.0
3.5
1.0
1.5
50
25
V
V
kW
mA
带内部上拉下来
电阻约的。 200 kΩ的。
PWDN / ACK = 5V
V
OUT
=V
DD
-0.4V
MT327xB/MT337xB
7
8
‡
I
OH
0.4
4.0
mA
输出低电平（漏）电流
I
OL
1.0
9.0
mA
V
OUT
=V
SS
+0.4V
典型的科幻居雷什是在25
°
C和对于辅助设计只有：不保证不受生产测试。
8
卓联半导体公司
ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
