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型号: 2N6727
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内容描述: PNP硅平面中功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 53 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
PNP硅平面
中功率晶体管
第1期? MARCH 94
特点
* 40伏V
首席执行官
50 ,在我*增益
C
= 1安培
* P
合计
= 1瓦
2N6726
2N6727
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
2N6726
-40
-30
-5
-2
-1
1
电子线
TO92兼容
2N6727
-50
-40
单位
V
V
V
A
A
W
°C
-55到+200
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
55
60
50
50
-40
-30
-5
-0.1
-0.1
-0.5
-1.2
55
60
50
50
2N6726
分钟。
马克斯。
-50
-40
-5
-0.1
-0.1
-0.5
-1.2
2N6727
分钟。
马克斯。
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
单位
条件。
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0*
I
E
= -1mA ,我
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA*
IC = -1A ,V
CE
=-1V*
I
C
= -10mA ,V
CE
=-1V*
I
C
= -100mA ,V
CE
=-1V*
I
C
= -1A ,V
CE
=-1V*
V
V
静态前进
h
FE
电流传输比
过渡
频率
集电极和基
电容
f
T
C
CB
250
500
30
3-8
250
500
30
兆赫
pF
I
C
= -50mA ,V
CE
=-10V
V
CE
= -10V , F = 1MHz的