SOT23封装硅高
高速开关二极管
第2期？ 1995年1月
引脚配置
BAS19
BAS20
BAS21
2
1
PARTMARKING详情
BAS19 ？ A8
BAS20 ？ A81
BAS21 ？ A82
3
!
SOT23
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
但却难免重复峰值反向电压
正向平均整流电流
正向电流
但却难免重复峰值正向电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
F
I
FRM
P
合计
T
j
:T
英镑
BAS19
100
120
BAS20
150
200
200
200
625
330
-55到+150
BAS21
200
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向
击穿
电压
符号
V
（ BR ）
BAS19
BAS20
BAS21
反向电流
I
R
120
200
250
100
100
1.00
1.25
5
5
50
Ω
MIN 。 TYP 。
MAX 。单位条件。
V
V
V
µ
A
I
R
=100
µ
A (1)
I
R
=100
µ
A (1)
I
R
=100
µ
A (2)
V
R
=V
R
最大
V
R
=V
R
最大值，T
J
=150°C
IF=100mA
I
F
=200mA
I
F
=10mA
f=1MHz
I
F
= 30毫安到我
R
=30mA
R
L
=10
Ω
测量我
R
=3mA
nA
静态正向电压V
F
微分电阻
二极管电容
r
差异
C
d
pF
ns
反向恢复时间吨
rr
(1)
(2)
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
在零寿命时间，脉冲的条件下测量，以避免过大的功耗和电压
仅限于275V
辣妹参数数据可应要求提供此设备
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ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
