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BC639图片预览
型号: BC639
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内容描述: NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 26 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
NPN硅平面
中功率晶体管
第1期?九月93
特点
* 1安培连续电流
* P
合计
= 800毫瓦
BC639
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
80
80
5
1
800
-55到+150
TO92
单位
V
V
V
A
mW
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
分钟。
80
80
5
0.1
0.5
1.0
25
40
25
200
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
µ
A
条件。
I
C
=100
µ
A,I
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0*
I
E
=10
µ
A,I
C
=0
V
CB
=30V
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA*
IC=500mA,V
CE
=2V*
I
C
= 5毫安,V
CE
=2V*
I
C
= 150毫安,V
CE
=2V*
I
C
= 500毫安,V
CE
=2V*
集电极截止电流I
CBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
过渡
频率
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
V
V
160
兆赫
f
T
I
C
= 50mA时V
CE
=2V
f=100MHz
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%
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