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    BCV47 参数 Datasheet PDF下载

    BCV47图片预览
    型号： BCV47
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面达林顿晶体管 [NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 53 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT23 NPN硅平面
    达林顿晶体管
    第3期？ 1995年9月
    7
    特点
    *高V
    首席执行官
    *低饱和电压
    互补类型？ BCV27 ？ BCV28
    BCV47 ？ BCV48
    PARTMARKING细节？
    BCV27 ？ ZFF
    BCV47 ？ ZFG
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    BCV47
    分钟。马克斯。
    80
    60
    10
    100
    10
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE
    100
    1.0
    1.5
    4K
    10K
    20K
    4K
    170的典型
    3.5典型
    100
    10
    100
    1.0
    1.5
    2K
    4K
    10K
    2K
    170的典型
    3.5典型
    BCV27
    40
    30
    10
    800
    500
    100
    330
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    µ
    A
    µ
    A
    nA
    V
    V
    BCV27
    BCV47
    C
    B
    SOT23
    BCV47
    80
    60
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mW
    °C
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    符号
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    发射基地
    截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    静态正向电流
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    BCV27
    分钟。马克斯。
    40
    30
    10
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =10
    µ
    A
    V
    CB
    = 30V
    V
    CB
    = 60V
    V
    CB
    =30V,T
    AMB
    =150
    o
    C
    V
    CB
    =60V,T
    AMB
    =150
    o
    C
    V
    EB
    =4V
    I
    C
    =100mA,I
    B
    =0.1mA*
    I
    C
    =100mA,I
    B
    =0.1mA*
    I
    C
    =100
    µ
    A，V
    CE
    =1V†
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =5V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =5V*
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =5V*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =5V
    F = 20MHz的
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    f
    T
    C
    敖包
    兆赫
    pF
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    ??定期抽样测试而已。
    对于典型的图表看FMMT38A数据表
    3 - 22

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