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    BCV48 参数 Datasheet PDF下载

    BCV48图片预览
    型号： BCV48
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面达林顿晶体管 [PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 20 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT89 PNP硅平面
    达林顿晶体管
    第3期？ 1995年9月
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    BCV49
    EE
    7
    BCV48
    C
    E
    C
    B
    SOT89
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度
    范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    -80
    -60
    -10
    -800
    -500
    1
    -65到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    分钟。
    -80
    -60
    -10
    -100
    -10
    -100
    -1
    -1.5
    2000
    4000
    10000
    2000
    200
    4.5
    兆赫
    pF
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    µA
    nA
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =-100µA
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-10µA
    V
    CB
    =-60V
    V
    CB
    = -60V ，T
    AMB
    =150°C
    V
    EB
    =-4V
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    -0.1mA*
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-0.1mA*
    I
    C
    = -100μA ，V
    CE
    =-1V†
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-5V
    F = 20MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    发射极截止电流I
    EBO
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    静态正向电流ħ
    FE
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    f
    T
    C
    敖包
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤2%
    ??定期抽样测试而已。
    3 - 25

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