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BCX38B 参数 Datasheet PDF下载

BCX38B图片预览
型号: BCX38B
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内容描述: NPN硅平面中功率达林顿晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 64 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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NPN硅平面介质
功率达林顿晶体管
第1期? MARCH 94
特点
* 60伏V
首席执行官
对10K的I *增益
C
= 0.5安培
* P
合计
= 1瓦
BCX38A/B/C
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
80
60
10
2
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
mA
W
°C
800
1
-55到+200
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
维持电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
STATIC
前锋
当前
转让
BCX38A
BCX38B
BCX38C
符号
V
( BR ) CBO
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
500
1000
2000
4000
5000
10000
3-20
分钟。
80
60
10
100
100
1.25
1.8
典型值。
马克斯。
V
V
V
nA
nA
V
V
单位条件。
I
C
=10
µ
A,I
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
=10
µ
A,I
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 8V ,我
C
=0
I
C
= 800毫安,我
B
=8mA*
I
C
= 800毫安,V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V*