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    BCX51 参数 Datasheet PDF下载

    BCX51图片预览
    型号： BCX51
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT89 PNP硅平面中功率晶体管 [SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 22 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT89 PNP硅平面
    中功率晶体管
    第3期 - 1996年2月
    互补式 -
    7
    BCX51 - BCX54
    BCX52 - BCX55
    BCX53 - BCX56
    BCX53
    • AH
    BCX53-10 - AK
    BCX53-16 - AL
    BCX51
    BCX52
    BCX53
    C
    PARTMARKING细节？
    BCX51
    – AA
    BCX51-10 - 交
    BCX51-16 - AD
    BCX52
    =阂
    BCX52-10 - AG
    BCX52-16 - AM
    E
    C
    B
    SOT89
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    BCX51
    -45
    -45
    BCX52
    -60
    -60
    -5
    -1.5
    -1
    1
    -65到+150
    BCX53
    -100
    -80
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿
    电压
    BCX53
    BCX52
    BCX51
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    分钟。
    -100
    -60
    -45
    -80
    -60
    -45
    -5
    -0.1
    -20
    -20
    -0.5
    -1.0
    25
    40
    25
    63
    100
    150
    25
    典型值。
    MAX 。单位条件。
    V
    V
    V
    V
    I
    C
    =-100µA
    I
    C
    =-100µA
    I
    C
    =-100µA
    I
    C
    =-10mA*
    I
    C
    =-10mA*
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-10µA
    V
    CB
    =-30V
    V
    CB
    = -30V ，T
    AMB
    =150°C
    V
    EB
    =-4V
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    I
    C
    I
    C
    I
    C
    I
    C
    兆赫
    pF
    = -5mA ，V
    CE
    =-2V*
    = -150mA ，V
    CE
    =-2V*
    = -500mA ，V
    CE
    =-2V*
    = -150mA ，V
    CE
    =-2V*
    = -150mA ，V
    CE
    =-2V*
    集电极 - 发射极BCX53
    击穿
    BCX52
    电压
    BCX51
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    导通电压
    静态正向电流
    传输比
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    -10
    -16
    V
    µA
    µA
    nA
    V
    V
    250
    160
    250
    跃迁频率
    输出电容
    f
    T
    C
    敖包
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-10V,
    f=100MHz
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤2%
    3 - 34

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