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BCX5616图片预览
型号: BCX5616
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内容描述: NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 36 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT89 NPN硅平面
中功率晶体管
ISSUE 5 - 2001年3月
BCX5616
C
互补式 - BCX5316
PARTMARKING详细信息 - BL
C
B
SOT89
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
100
80
5
2
1
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
25
100
25
150
15
分钟。
100
80
5
0.1
20
20
0.5
1.0
典型值。
MAX 。单位条件。
V
V
V
IC = 100
µ
A
IC = 10毫安
I
E
=10
µ
A
V
CB
=30V
V
CB
= 30V ,T
AMB
=150°C
V
EB
=4V
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安,V
CE
=2V*
I
C
= 5毫安,V
CE
=2V*
I
C
= 150毫安,V
CE
=2V*
I
C
= 500毫安,V
CE
=2V*
兆赫
pF
I
C
= 50mA时V
CE
=10V,
f=100MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
µ
A
µ
A
nA
V
V
250
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。
TBA