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BCX69-16 参数 Datasheet PDF下载

BCX69-16图片预览
型号: BCX69-16
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内容描述: PNP硅平面中功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 1 页 / 20 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT89 PNP硅平面
中功率晶体管
第2期 - 1995年2月
7
特点
*高增益,低饱和电压
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
BCX68
BCX69
- CJ
BCX69-16 - CG
BCX69-25 - CH
BCX69
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-25
-20
-5
-2
-1
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
50
85
60
BCX69-16 100
BCX69-25 160
f
T
C
敖包
100
25
h
FE
分钟。
-25
-20
-5
-0.1
-10
-10
-0.5
-1.0
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
µA
µA
µA
V
V
条件。
IC = -100μA
IC = -10mA
I
E
=-100µA
V
CB
=-25V
V
CB
= -25V ,T
AMB
=150°C
V
EB
=-5V
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
I
C
= -1A ,V
CE
=-1V
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
兆赫
pF
= -5mA ,V
CE
=-1V
= -500mA ,V
CE
=-1V
= -1A ,V
CE
=-1V*
= -500mA ,V
CE
=-1V*
= -500mA ,V
CE
=-1V
375
250
250
400
跃迁频率
输出电容
I
C
= -100mA ,V
CE
=-5V,
f=100MHz
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型特征图看FMMT549数据表。
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