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    BCX70G 参数 Datasheet PDF下载

    BCX70G图片预览
    型号： BCX70G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT23 NPN硅平面小信号晶体管 [SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 66 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BCX70G的Datasheet PDF文件第1页  
    BCX70
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    符号
    MIN 。 TYP 。
    45
    5
    20
    20
    20
    0.12
    0.20
    0.60
    0.70
    0.55
    120
    50
    20
    180
    70
    40
    250
    90
    100
    380
    100
    125
    0.70
    0.83
    0.52
    0.65
    0.78
    78
    170
    145
    250
    220
    350
    300
    500
    250
    8
    4.5
    2
    6
    0.35
    0.55
    0.85
    1.05
    0.75
    220
    310
    460
    630
    兆赫
    pF
    pF
    dB
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极截止电流
    发射极 - 基极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基地 - 发射极电压
    静态正向电流
    传输比
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CES
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE
    BCX70G
    BCX70H
    BCX70J
    BCX70K
    跃迁频率
    发射极 - 基极电容
    集电极 - 基极电容
    噪声系数
    开关时间：
    延迟时间
    上升时间
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    打开-O FF时间
    V
    V
    µ
    A
    MAX 。单位条件。
    I
    C
    =2mA
    I
    EBO
    =1
    µ
    A
    V
    CES
    =45V
    V
    CES
    =45V,
    T
    AMB
    =150oC
    V
    EBO
    =4V
    I
    C
    =10mA,I
    B
    = 0.25毫安
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =1.25mA
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =0.25mA,
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =1.25mA
    I
    C
    =10
    µ
    A，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 2毫安，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =1V
    I
    C
    =10
    µ
    A，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 2毫安，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =1V
    I
    C
    =10
    µ
    A，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 2毫安，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =1V
    I
    C
    =10
    µ
    A，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 2毫安，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =1V
    I
    C
    =10
    µ
    A，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 2毫安，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =1V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =5V
    F = 100MHz的
    V
    EBO
    = 0.5V ， F = 1MHz的
    V
    CBO
    = 10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 0.2毫安，V
    CE
    = 5V
    R
    G
    =2K
    Ω,
    f=1KH
    ∆
    f=200Hz
    I
    C
    :I
    B1
    :- I
    B2
    = 10 ：1： 1毫安
    R
    1
    =5K
    Ω,
    R
    2
    =5K
    Ω
    V
    BB
    = 3.6V ，R
    L
    =990
    Ω
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    f
    T
    C
    EBO
    C
    CBO
    N
    t
    d
    t
    r
    t
    on
    t
    s
    t
    f
    t
    关闭
    35
    50
    85
    400
    80
    480
    150
    800
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    辣妹参数数据可应要求提供此设备

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