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BF620图片预览
型号: BF620
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内容描述: NPN硅平面高压晶体管 [NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压局域网
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT89 NPN硅平面
高压晶体管
ISSUE 5 - 2001年3月
特点
*高故障,低饱和电压
应用
*适用于电视机的视频输出级
*开关电源
互补型:
BF621
PARTMARKING详细信息 -
DC
BF620
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
300
300
5
100
50
1
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
Colector截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态前进
电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CER
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
f
T
C
敖包
50
100的典型
0.8典型
兆赫
pF
分钟。
300
300
5
10
20
50
10
10
0.6
0.9
马克斯。
单位
V
V
V
nA
µ
A
nA
µ
A
条件。
I
C
=10
µ
A,I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0*
I
E
=100
µ
A,I
C
=0
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
CB
= 200V ,我
E
=0 †
V
CE
= 200V ,R
BE
=2.7K
V
CE
= 200V ,R
BE
=2.7K
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 30mA时我
B
=5mA*
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA*
I
C
= 25毫安,V
CE
=20V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 30V , F = 1MHz的
µ
A
V
V
†T
AMB
=150°C
*脉冲条件下进行测定。
对于典型特征图看FMMTA42数据表。
TBA