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BFN16 参数 Datasheet PDF下载

BFN16图片预览
型号: BFN16
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内容描述: SOT89 NPN硅平面高电压晶体管 [SOT89 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管高压局域网
文件页数/大小: 1 页 / 17 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT89 NPN硅平面
高压晶体管
第3期 - 1995年10月
7
BFN16
C
互补式 -
PARTMARKING细节 -
BFN17
DD
E
C
B
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
250
250
5
500
200
100
1
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
25
40
40
Typ.70
Typ.1.5
兆赫
pF
分钟。
250
250
5
100
20
100
0.4
0.9
马克斯。
单位
V
V
V
nA
µA
nA
V
V
条件。
I
C
=100µA
I
C
=1mA
I
E
=100µA
V
CB
=250V
V
CB
= 250V ,T
AMB
=150 °C
V
EB
=3V
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
I
C
=1mA,V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=10V
I
C
= 30mA时V
CE
=10V
I
C
= 20mA时, V
CE
=10V*
f=20MHz
V
CB
=30V,f=1MHz
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
对于典型特征图看FMMTA42数据表
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