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BFN37图片预览
型号: BFN37
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内容描述: SOT223 PNP硅平面高压晶体管 [SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管高压局域网
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT223 PNP硅平面
高压晶体管
第4期? 1996年1月
7
特点
*高V
首席执行官
低饱和电压
应用
*适用于电视机的视频输出级
*开关电源
互补式: -
BFN36
PARTMARKING详细信息: -
BFN37
BFN37
C
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基极发射极
饱和电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
25
40
40
100
2.5
兆赫
pF
分钟。
-250
-250
-5
-100
-20
-100
-0.4
-0.9
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
nA
价值
-250
-250
-5
-500
-2
-55到+150
条件。
I
C
=-100
µ
A
I
C
=-1mA
I
E
=-100
µ
A
V
CB
=-200V
V
CB
=-200V †
V
EB
=-4V
I
C
= -20mA ,我
B
=-2mA*
I
C
= -20mA ,我
B
=-2mA*
I
C
= -1mA ,V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ,V
CE
=-10V*
I
C
= -30mA ,V
CE
=10V*
I
C
= -20mA ,V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
= -30V , F = 1MHz的
单位
V
V
V
mA
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
µ
A
nA
V
V
静态前进
h
FE
电流传输比
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
†T
AMB
=150°C
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%
对于典型特征图看FMMTA92数据表。
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