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BS107P图片预览
型号: BS107P
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS FET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 24 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期 - 九月93
特点
* 200伏V
DS
* R
DS ( ON)
=23Ω
BS107P
D
G
S
详阅BS107PT关于图
电子线
TO92兼容
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
200
0.12
2
±20
500
-55到+150
单位
V
A
A
V
mW
°C
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
栅源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性(在T
AMB
= 25°C)
参数
漏源
击穿电压
门体漏
排水截止电流
排水截止电流
静态漏源
导通状态电阻
符号
BV
DSS
I
GSS
I
DSS
I
DSX
R
DS ( ON)
15
分钟。
200
典型值。
230
10
30
1
23
30
马克斯。
单位
V
nA
nA
µA
条件。
I
D
= 100μA ,V
GS
=0V
VGS = 15V ,V
DS
=0V
V
GS
=0V, V
DS
=130V
V
GS
=0.2V, V
DS
=70V
V
GS
= 2.6V ,我
D
=25mA*
V
GS
= 5V ,我
D
=100mA*
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
3-23