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    BS250F 参数 Datasheet PDF下载

    BS250F图片预览
    型号： BS250F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型垂直DMOS FET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 84 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BS250F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS250F的Datasheet PDF文件第3页  
    SOT23封装P沟道增强
    模式垂直DMOS FET
    第3期 - 1996年1月
    BS250F
    D
    G
    S
    PARTMARKING详细信息？ MX
    绝对最大额定值。
    参数
    漏源电压
    连续漏电流在T
    AMB
    =25°C
    漏电流脉冲
    门源电压
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    DS
    I
    D
    I
    DM
    V
    GS
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    -45
    -90
    -1.6
    ±
    20
    SOT23
    单位
    V
    mA
    A
    V
    mW
    °C
    330
    -55到+150
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    漏源
    击穿电压
    门极 - 源
    电压
    门体漏
    零栅压漏
    当前
    静态漏源导通状态
    电阻（1）
    正向跨导
    (1)(2)
    输入电容（ 2 ）
    导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
    上升时间（ 2 ）（3）
    关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
    下降时间（2）（ 3）
    符号
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    9
    90
    25
    10
    10
    10
    10
    MIN 。 TYP 。 MAX 。单位条件。
    -45
    -1
    -70
    -3.5
    -20
    V
    V
    nA
    I
    D
    =-100
    µ
    A，V
    GS
    =0V
    I
    D
    = -1mA ，V
    DS
    = V
    GS
    V
    GS
    =-15V, V
    DS
    =0V
    V
    DS
    =-25V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =-10V,I
    D
    =-200mA
    V
    DS
    =-10V,I
    D
    =-200mA
    V
    DS
    =-10V, V
    GS
    =0V,
    f=1MHz
    -0.5.
    µ
    A
    14
    Ω
    mS
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    DD
    ≈
    -25V ，我
    D
    =-200mA
    （1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2 ％ （ 2 ）样品测试。
    （3 ）测定的，用50开关时间
    Ω
    源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 - 55

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