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型号: BS250P
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS FET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 52 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
p沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期 - 九月93
特点
* 45伏V
DS
* R
DS ( ON)
=14Ω
BS250P
D
G
S
详阅ZVP2106A关于图
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
栅源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
-45
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
mA
A
V
mW
°C
-230
-3
±
20
700
-55到+150
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
漏源
击穿电压
栅极 - 源
阈值电压
门体漏
零栅极电压
漏电流
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
分钟。
-45
-1
-3.5
-20
-500
14
150
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
nA
条件。
I
D
=-100
µ
A,V
GS
=0V
I
D
= -1mA ,V
DS
=V
GS
VGS = -15V ,V
DS
=0V
V
GS
=0V, V
DS
=-25V
V
GS
= -10V ,我
D
=-200mA
V
DS
= -10V ,我
D
=-200mA
静态漏源
R
DS ( ON)
通态电阻( 1 )
前锋
g
fs
跨导(1)( 2)
输入电容( 2 )
开启时间( 2 ) ( 3 )
关断时间( 2 ) ( 3 )
C
国际空间站
t
(上)
t
(关闭)
mS
60
20
20
pF
ns
ns
V
GS
=0V, V
DS
=-10V
f=1MHz
V
DD
-25V ,我
D
=-500mA
(1)脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2 % ( 2 )样品测试
(3 )测定用50开关时间
源阻抗和< 5纳秒的上升时间的脉冲发生器
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