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BSP15图片预览
型号: BSP15
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内容描述: SOT223 PNP硅平面高压晶体管 [SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管高压局域网
文件页数/大小: 1 页 / 46 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT223 PNP硅平面
高压晶体管
第3期 - 1996年2月
特点
*高V
首席执行官
*低饱和电压
C
BSP15
互补式:??
PARTMARKING详细信息: ??
BSP20
BSP15
B
E
C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-200
-200
-5
-1
-0.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
分钟。
-200
-200
-5
-1
-20
- 2.0
-0.5
30
15
15
150
兆赫
pF
马克斯。
单位
V
V
V
µ
A
µ
A
条件。
I
C
=-100
µ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
µ
A
V
CB
=-175V
V
EB
=-4V
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA*
I
C
= -30mA ,我
B
=-3mA*
I
C
= -50mA ,V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ,V
CE
=-20V*
F = 20MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
集电极 - 发射极饱和V
CE ( SAT )
电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输出电容
h
FE
f
T
C
敖包
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%
对于典型特征图看FMMTA92数据表。
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