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    BSP20 参数 Datasheet PDF下载

    BSP20图片预览
    型号： BSP20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT223 NPN硅平面高压晶体管 [SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管高压局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 46 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT223 NPN硅平面
    高压晶体管
    第3期 - 1996年2月
    特点
    *高V
    首席执行官
    *低饱和电压
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    7
    C
    BSP15
    BSP20
    BSP20
    E
    C
    B
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度
    范围
    参数
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    分钟。
    300
    250
    5
    20
    50
    0.5
    1.3
    2.0
    40
    30
    40
    200
    200
    6
    兆赫
    pF
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    300
    250
    5
    1
    0.5
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =300V
    V
    EB
    =5V
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =4mA*
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =4mA*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 20mA时， V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 30mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =20V
    F = 20MHz的
    V
    CB
    = 20V ， F = 1MHz的
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射极导通
    电压
    V
    V
    V
    nA
    nA
    V
    V
    V
    发射极截止电流I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    静态正向电流ħ
    FE
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    f
    T
    C
    敖包
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    对于典型特征图看FMMTA42数据表。
    3 - 61

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