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    BSP43 参数 Datasheet PDF下载

    BSP43图片预览
    型号： BSP43
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管IOT局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 39 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT223 NPN硅平面
    中功率晶体管
    第4期 - 2001年3月
    互补式
    –
    ✪
    BSP33
    BSP43
    C
    PARTMARKING详细信息
    - BSP43
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    90
    80
    5
    2
    1
    100
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    静态前进
    电流传输比
    输出电容
    输入电容
    跃迁频率
    开启时间
    打开-O FF时间
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE
    30
    100
    50
    分钟。
    90
    80
    5
    100
    50
    0.25
    0.5
    1.0
    1.2
    300
    12
    90
    100
    250
    1000
    pF
    pF
    兆赫
    ns
    ns
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    µ
    A
    V
    V
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =10mA
    I
    E
    =10
    µ
    A
    V
    CB
    =60V
    V
    CB
    = 60V ，T
    AMB
    =125°C
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    C
    =100
    µ
    A，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =5V
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    EB
    = 0.5V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V
    F = 35MHz时
    V
    CC
    = 20V ，我
    C
    =100mA
    I
    B1
    =I
    B2
    =5mA
    *
    C
    敖包
    C
    IBO
    f
    T
    T
    on
    T
    关闭
    *脉冲条件下进行测定。
    对于典型特征图看FMMT493数据表。
    TBA

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