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    BSR40 参数 Datasheet PDF下载

    BSR40图片预览
    型号： BSR40
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT89 NPN硅平面中功率晶体管 [SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 17 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT89 NPN硅平面
    中功率晶体管
    第3期 - 1996年2月
    7
    互补类型 - BSR40 - BSR30
    BSR42 - BSR32
    PARTMARKING详细信息 -
    BSR40 - AR1
    BSR42 - AR3
    BSR40
    BSR42
    C
    E
    C
    B
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    BSR40
    70
    60
    5
    2
    1
    100
    1
    -65到+150
    BSR42
    90
    80
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    BSR40
    击穿电压BSR42
    集电极 - 发射极
    BSR40
    击穿电压BSR42
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    静态前进
    电流传输比
    集电极电容
    发射Capacitence
    跃迁频率
    开启时间
    打开-O FF时间
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE
    10
    40
    30
    分钟。
    70
    90
    60
    80
    5
    100
    50
    0.25
    0.5
    1.0
    1.2
    120
    12
    90
    100
    250
    1000
    pF
    pF
    兆赫
    ns
    ns
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    nA
    µA
    V
    V
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =100µA
    I
    C
    =100µA
    I
    C
    =10mA
    I
    C
    =10mA
    I
    E
    =10µA
    V
    CB
    =60V
    V
    CB
    = 60V ，T
    AMB
    =125°C
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 100μA ，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =5V
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    EB
    = 0.5V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V
    F = 35MHz时
    V
    CC
    = 20V ，我
    C
    =100mA
    I
    B1
    =-I
    B2
    =-5mA
    C
    c
    C
    e
    f
    T
    T
    on
    T
    关闭
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤2%
    对于典型特征图看FMMT493数据表。
    3 - 67

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