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    BSS64 参数 Datasheet PDF下载

    BSS64图片预览
    型号： BSS64
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT23 NPN硅平面高电压晶体管 [SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管高压局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 30 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT23 NPN硅平面
    高压晶体管
    第2期？九月95
    7
    BSS64
    C
    B
    E
    免费类型 -
    PARTMARKING详细信息 -
    BSS63
    BSS64 - U3
    BSS64R - U6
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    合计
    t
    j
    :t
    英镑
    价值
    120
    80
    5
    100
    330
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射极饱和
    电压
    静态正向电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE
    分钟。
    120
    80
    5
    100
    50
    200
    150
    200
    1.2
    典型值。
    60
    80
    55
    典型值。
    100
    兆赫
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =4mA
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =90V
    V
    CB
    =90V,T
    j
    =150
    o
    C
    V
    EB
    =5V
    I
    C
    = 4mA时我
    B
    =400
    µ
    A
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 4mA时我
    B
    =400
    µ
    A
    I
    C
    = 1mA时， V
    CE
    =-1V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =1V
    I
    C
    = 20mA时， V
    CE
    =1V
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =4mA
    F = 35 MHz的
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    µ
    A
    nA
    mV
    mV
    mV
    20
    跃迁频率
    f
    T
    60
    典型值。
    3
    输出电容
    C
    敖包
    5
    pF
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    页码

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