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    BSS82C 参数 Datasheet PDF下载

    BSS82C图片预览
    型号： BSS82C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT23封装PNP硅平面开关晶体管 [SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 30 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT23封装PNP硅平面
    开关晶体管
    第2期？九月95
    PARTMARKING细节 -
    7
    BSS82B - CL
    BSS82C - CM
    BSS82B
    BSS82C
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    BSS80B
    BSS80C
    h
    FE
    f
    T
    C
    敖包
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    40
    100
    200
    8
    10
    40
    80
    30
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    P
    合计
    t
    j
    :t
    英镑
    分钟。
    -60
    -60
    -5
    -10
    -10
    -10
    -0.4
    -1.6
    120
    300
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    CC
    = -30V ，我
    C
    =-150mA
    I
    B1
    =-I
    B2
    =-15mA
    µ
    A
    价值
    -60
    -60
    -5
    -800
    330
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    发射极截止
    当前
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    静态前进
    当前
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    延迟时间
    马克斯。
    单位
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =-10
    µ
    A
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-10
    µ
    A
    nA
    V
    CB
    =-50V,
    V
    CB
    = -50V ，T
    AMB
    =150 °C
    V
    BE
    =-3V
    I
    C
    =-150mA,I
    B
    =-15mA*
    I
    C
    =-500mA,I
    B
    =50mA*
    I
    C
    =150mA,V
    CE
    =10V
    I
    C
    =150mA,V
    CE
    =10V
    V
    CE
    =-20V,I
    C
    =-50mA
    f=100MHz
    V
    CB
    =-10V,f=1MHz
    nA
    V
    V
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比2 ％
    页码

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