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    BST15 参数 Datasheet PDF下载

    BST15图片预览
    型号： BST15
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT89 PNP硅平面高压晶体管 [SOT89 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管高压局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 16 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT89 PNP硅平面
    高压晶体管
    第3期 - 1996年2月
    特点
    *高V
    首席执行官
    *低饱和电压
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    BST40
    BT1
    7
    BST15
    C
    E
    C
    B
    SOT89
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度
    范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    -200
    -200
    -4
    -1
    -500
    1
    -65到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    集电极截止
    当前
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    分钟。
    -200
    -200
    -4
    -1
    -50
    -20
    - 2.0
    -0.5
    30
    15
    15
    150
    兆赫
    pF
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =-100µA
    I
    C
    =-1mA
    I
    E
    =-100µA
    V
    CB
    =-175V
    V
    CB
    =-150V
    V
    EB
    =-4V
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    =-5mA*
    I
    C
    = -30mA ，我
    B
    =-3mA*
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-10V*
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-10V*
    F = 30MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    发射极截止电流I
    EBO
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    静态正向电流ħ
    FE
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    f
    T
    C
    敖包
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤2%
    对于典型特征图看FMMTA92数据表。
    3 - 75

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