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    BST40 参数 Datasheet PDF下载

    BST40图片预览
    型号： BST40
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT89 NPN硅平面高电压晶体管 [SOT89 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管高压局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 16 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT89 NPN硅平面
    高压晶体管
    第3期？ 1996年1月
    7
    互补式 - BST15
    PARTMAKING详细信息 - AT2
    BST40
    C
    E
    C
    B
    SOT89
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    300
    250
    5
    1
    500
    1
    -65到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    发射极截止电流
    集电极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    静态正向电流
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    输入电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    EBO
    I
    CBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    40
    70
    2
    30
    兆赫
    pF
    pF
    分钟。
    300
    250
    5
    10
    20
    0.5
    1.3
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    µA
    nA
    V
    V
    条件。
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0*
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    E
    =0
    V
    CB
    =300V
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =4mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =4mA
    I
    C
    = 20mA时， V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =10V,
    f=5MHz
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    EB
    = 5V ， F = 1MHz的
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤
    2%
    对于典型特征图看FMMTA42数据表。
    3 - 78

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