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    BST52 参数 Datasheet PDF下载

    BST52图片预览
    型号： BST52
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面达林顿晶体管 [NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 19 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT89 NPN硅平面
    达林顿晶体管
    第3期？ 1996年1月
    特点
    *快速切换
    *高ħ
    FE
    BST52
    C
    PARTMAKING详细信息 - AS3
    C
    B
    SOT89
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    豌豆脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    90
    80
    10
    1.5
    500
    100
    1
    -65到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mA
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    静态正向电流
    传输比
    启动时间
    关闭时间
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    EBO
    I
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    分钟。
    90
    80
    10
    10
    10
    1.3
    1.3
    1.9
    1K
    2K
    400的典型
    典型1.5K
    ns
    ns
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    V
    条件。
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0*
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    EB
    = 8V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 80V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =0.5mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =0.5mA
    T
    j
    =150°C
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =0.5mA
    I
    C
    = 150毫安，V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-10V*
    I
    C
    =500mA
    I
    BON
    =I
    B关
    =0.5mA
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE
    t
    on
    t
    关闭
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    对于典型特征图看FMMT614数据表。
    3 - 80

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