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    FCX591 参数 Datasheet PDF下载

    FCX591图片预览
    型号： FCX591
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面中功率高性能晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 25 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT89 PNP硅平面介质
    功耗高性能晶体管
    第3期 - 1995年11月
    7
    FCX591
    C
    PARTMARKING详细信息 -
    互补式 -
    P1
    FCX491
    E
    B
    C
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    马克斯。
    价值
    -80
    -60
    -5
    -2
    -1
    -200
    1
    -65到+150
    单位
    V
    V
    V
    -100
    -100
    -100
    -0.3
    -0.6
    -1.2
    -1.0
    100
    100
    80
    15
    150
    10
    300
    兆赫
    pF
    nA
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =-100
    µ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =0*
    I
    E
    =-100
    µ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    =-60V
    V
    CES
    =-60V
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    I
    C
    =-500mA,
    I
    B
    =-50mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA*
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -1mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -2A ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-10V
    f=100MHz
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    符号最小值。
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    集电极截止电流
    集电极发射极截止点
    当前
    发射极截止电流
    饱和电压
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    基射极导通电压
    静态正向电流传输
    比
    跃迁频率
    输出电容
    V
    BE（上）
    h
    FE
    -80
    -60
    -5
    击穿电压
    f
    T
    C
    敖包
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    对于典型特征图看FMMT591数据表
    3 - 92

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