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    FMMT449 参数 Datasheet PDF下载

    FMMT449图片预览
    型号： FMMT449
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 122 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FMMT449的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT23 NPN硅平面
    中功率晶体管
    第3期 - 1995年11月
    特点
    *低等效导通电阻;
    R
    CE （ SAT ）
    250mΩ在1A
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    FMMT549
    449
    FMMT449
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    = 25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    符号
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    单位
    价值
    50
    30
    5
    2
    1
    200
    500
    -55到+150
    条件。
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mA
    mW
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    分钟。马克斯。
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    50
    30
    5
    0.1
    10
    0.1
    0.5
    1.0
    1.25
    1.0
    70
    100
    80
    40
    150
    15
    300
    兆赫
    pF
    V
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0*
    I
    E
    =100
    µ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 40V ，我
    E
    =0
    V
    CB
    = 40V ，T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =100mA*
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =200mA*
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =100mA*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 2A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V
    f=100mHz
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    发射极 - 基极击穿V
    （ BR ） EBO
    电压
    集电极截止
    当前
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射极导通
    电压
    静态正向电流
    传输比
    过渡
    频率
    输出电容
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    V
    V
    V
    V
    f
    T
    C
    敖包
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 - 106

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