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FMMT493 参数 Datasheet PDF下载

FMMT493图片预览

型号：	FMMT493
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 125 K
品牌：	ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

浏览型号FMMT493的Datasheet PDF文件第2页

SOT23 NPN硅平面

中功率晶体管

第3期 - 1995年11月

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

7

FMMT593

493

FMMT493

E

C

B

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲电流

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

饱和电压

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

基射

关闭电压

静态正向电流

传输比

跃迁频率

集电极 - 基

击穿电压

V

BE（上）

h

FE

100

100

60

20

150

10

分钟。

120

100

5

100

100

100

0.3

0.6

1.15

1.0

300

兆赫

pF

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

:T

英镑

马克斯。

价值

120

100

5

1

2

200

500

-55到+150

单位

V

V

V

nA

nA

nA

V

V

V

V

SOT23

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

条件。

I

C

=100

µ

A

I

C

=10mA*

I

E

=100

µ

A

V

CB

=100V

V

CES

=100V

V

EB

=4V

I

C

= 500毫安，我

B

=50mA

I

C

= 1A ，我

B

=100mA

I

C

= 1A ，我

B

=100mA

I

C

= 1A ，V

CE

=10V

I

C

= 1mA时， V

CE

=10V*

I

C

= 250毫安，V

CE

=10V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=10V*

I

C

= 1A ，V

CE

=10V*

I

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

f

T

C

敖包

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

µ

秒。占空比

≤

2%

3 - 119

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