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    FMMT591A 参数 Datasheet PDF下载

    FMMT591A图片预览
    型号： FMMT591A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面中功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管光电二极管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 144 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FMMT591A的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT23封装PNP硅平面
    中功率晶体管
    第3期 - 1995年10月
    特点
    低等效导通电阻
    R
    CE （ SAT ）
    = 350mΩ在1A
    最热详细信息 -
    互补式 -
    91A
    FMMT491A
    FMMT591A
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    -40
    -40
    -5
    -2
    -1
    -200
    500
    -55到+150
    MAX 。单位条件。
    V
    V
    V
    -100
    -100
    -100
    -0.2
    -0.35
    -0.5
    -1.1
    -1.0
    300
    300
    250
    160
    30
    150
    10
    800
    nA
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    V
    I
    C
    =-100
    µ
    A
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-100
    µ
    A
    V
    CB
    =-30V
    V
    EB
    =-4V
    V
    CES
    =-30V
    I
    C
    =-100mA,I
    B
    =-1mA*
    I
    C
    =-500mA,I
    B
    =-20mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-50mA*
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    =-1mA,
    I
    C
    =-100mA*,
    I
    C
    = -500mA * ，V
    CE
    =-5V
    I
    C
    =-1A*,
    I
    C
    =-2A*,
    兆赫我
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-10V
    f=100MHz
    pF
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mA
    mW
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    符号最小值。
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    -40
    -40
    -5
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    基射极饱和电压
    基射极导通电压
    静态正向电流传输比
    跃迁频率
    输出电容
    f
    T
    C
    敖包
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 - 139

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