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FMMT618 参数 Datasheet PDF下载

FMMT618图片预览
型号: FMMT618
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内容描述: NPN硅功率(开关)晶体管 [NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 311 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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FMMT624
FMMT625
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极发射极
截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE ( SAT )
26
70
160
165
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
200
300
100
100
0.85
0.7
400
450
140
18
155
FMMT624
分钟。
125
125
典型值。
250
160
150
150
5
100
100
100
50
150
220
250
1.0
1.0
200
300
30
100
15
FMMT625
典型值。
300
175
8.3
马克斯。
MAX 。 MIN 。
单位条件。
V
V
V
nA
nA
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
I
C
=100µA
I
C
=10mA*
I
E
=100µA
V
CB
=100V
V
CB
=130V
V
EB
=4V
V
CES
=100V
V
CES
=130V
I
C
= 0.1A ,我
B
=10mA*
I
C
= 0.1A ,我
B
=1mA*
I
C
= 0.5A ,我
B
=50mA*
I
C
= 0.5A ,我
B
=10mA*
I
C
= 1A ,我
B
=50mA*
I
C
= 1A ,我
B
=50mA*
I
C
= 1A ,V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=10V*
I
C
= 0.2A ,V
CE
=10V*
I
C
= 1A ,V
CE
=10V*
I
C
= 3A ,V
CE
=10V*
兆赫
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
V
CC
= 50V ,我
C
=0.5A
I
B1
=-I
B2
=50mA
5
8.3
100
100
100
26
110
180
0.85
0.74
400
450
45
15
135
6
160
1500
10
50
200
300
1.0
1.0
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
过渡
频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
(上)
t
(关闭)
7
60
1300
pF
ns
ns
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%
3 - 155