欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    FZT458 参数 Datasheet PDF下载

    FZT458图片预览
    型号： FZT458
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面高压晶体管 [NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管高压局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 46 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT223 NPN硅平面
    高压晶体管
    第4期？ 1996年1月
    特点
    * 400伏V
    首席执行官
    FZT458
    C
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    FZT558
    FZT458
    B
    E
    C
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    连续集电极电流
    峰值脉冲电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    击穿电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    （ BR ） EBO
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    发射极饱和电压
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    基射
    关闭电压
    静态前进
    电流传输比
    跃迁频率
    集电极 - 基
    击穿电压
    开关时间
    V
    BE（上）
    h
    FE
    f
    T
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    100
    100
    15
    50
    5
    135的典型
    2260典型
    分钟。
    400
    400
    5
    100
    100
    100
    0.2
    0.5
    0.9
    0.9
    300
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CM
    I
    B
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    马克斯。
    价值
    400
    400
    5
    300
    1
    200
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    单位
    V
    V
    V
    mA
    A
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =320V
    V
    CE
    =320V
    V
    EB
    =4V
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA*
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =6mA*
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 1mA时， V
    CE
    =10V
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =20V
    f=20MHz
    V
    CB
    = 20V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 50mA时V
    CC
    =100V
    I
    B1
    = 5毫安，我
    B2
    =-10mA
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    对于典型特征图看FMMT458数据表
    3 - 187

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6