欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FZT491 参数 Datasheet PDF下载

FZT491图片预览
型号: FZT491
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 45 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT223 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1995年10月
7
C
FZT491
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FZT591
FZT491
B
E
C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
击穿电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
集电极截止
当前
发射极截止电流
I
CBO
I
EBO
分钟。
80
60
5
100
100
100
0.25
0.5
1.1
1.0
100
100
80
30
150
10
300
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
价值
80
60
5
2
1
200
2
-55到+150
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=60V
V
EB
=4V
V
CES
=60V
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA*
I
C
= 1A ,我
B
=100mA*
I
C
= 1A ,我
B
=100mA*
I
C
= 1A ,V
CE
=5V*
I
C
= 1mA时, V
CE
=5V
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V*
I
C
= 1A ,V
CE
=5V*
I
C
= 2A ,V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V,
F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
集电极 - 发射极截止我
CES
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
s.
对于典型特征图看FMMT491数据表
3 - 189