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    FZT560 参数 Datasheet PDF下载

    FZT560图片预览
    型号： FZT560
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面高压晶体管 [PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管高压局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 45 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FZT560的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT223 PNP硅平面
    高压晶体管
    ISSUE 1 1998年11月
    特点
    * 500伏V
    首席执行官
    * 150毫安连续电流
    * P
    合计
    = 2瓦
    C
    FZT560
    E
    C
    B
    PARTMARKING详细信息 -
    FZT560
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    -500
    -500
    -5
    -500
    -150
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射极饱和
    电压
    基极 - 发射极导通电压
    静态正向电流
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    开关时间
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    分钟。
    -500
    -500
    -5
    -100
    -100
    -100
    -0.20
    -0.5
    -0.9
    -0.9
    100
    300
    80
    300
    典型值15
    60
    8
    110典型。
    1.5 （典型值）
    兆赫
    pF
    ns
    µs
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =-100µA
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-100µA
    V
    CB
    =-500V
    V
    CE
    =-500V
    V
    EB
    =-5V
    I
    C
    = -20mA ，我
    B
    =-2mA
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    =-10mA*
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    =-10mA*
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-10V*
    I
    C
    = -1mA ，V
    CE
    =-10V
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-10V*
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-10V*
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-20V
    f=50MHz
    V
    CB
    = -20 ， F = 1MHz的
    V
    CE
    =-100, I
    C
    =-50mA,
    I
    B1
    =-5mA,I
    B2
    =10mA,
    f
    T
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤2%

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