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    FZT696B 参数 Datasheet PDF下载

    FZT696B图片预览
    型号： FZT696B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率高增益晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 100 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FZT696B的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT223 NPN硅平面介质
    功率高增益晶体管
    第4期？ 1997年2月
    特点
    * 250伏V
    首席执行官
    500在I *增益
    C
    =100mA
    *非常低饱和电压
    应用
    *达林顿更换
    *电池供电的电路
    PARTMARKING详细信息 -
    FZT696B
    FZT696B
    C
    E
    C
    B
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    180
    180
    5
    1
    0.5
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C)
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    基射极饱和电压
    基射极导通OnVoltage
    静态正向电流传输
    比
    跃迁频率
    输入电容
    输出电容
    开关时间
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    f
    T
    C
    IBO
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    500
    150
    70
    200
    6
    80
    4400
    180
    180
    5
    符号最小值。 TYP 。 MAX 。单位条件。
    V
    V
    V
    0.1
    0.1
    0.2
    0.2
    0.25
    0.9
    0.9
    µ
    A
    µ
    A
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =140V
    V
    EB
    =4V
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =0.5mA*
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =2mA*
    I
    C
    =的200mA，我
    B
    =5mA*
    I
    C
    =的200mA，我
    B
    =5mA*
    I
    C
    =的200mA， V
    CE
    =5V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =5V*
    I
    C
    =的200mA， V
    CE
    =5V*
    V
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    pF
    ns
    ns
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =5V
    f=50MHz
    V
    EB
    = 0.5V ， F = 1MHz的
    V
    CE
    = 10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 100mA时我
    B1
    =10mA
    I
    B2
    = 10毫安，V
    CC
    =50V
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 - 227

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