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    FZT751 参数 Datasheet PDF下载

    FZT751图片预览
    型号： FZT751
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面高性能晶体管 [PNP SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 99 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FZT751的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT223 PNP硅平面
    高性能晶体管
    第2期 - 1995年2月
    特点
    * 60伏V
    首席执行官
    * 3安培连续电流
    *低饱和电压
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止电流
    符号最小值。
    V
    （ BR ） CBO
    -80
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    70
    100
    80
    40
    100
    -0.15
    -0.45
    -0.9
    -0.8
    200
    200
    170
    150
    140
    40
    450
    30
    -60
    -5
    -0.1
    -10
    -0.1
    0.3
    0.6
    -1.25
    -1.0
    300
    兆赫
    ns
    ns
    pF
    典型值。
    FZT651
    FZT751
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    FZT751
    C
    E
    C
    B
    绝对最大额定值。
    价值
    -80
    -60
    -5
    -6
    -3
    2
    -55到+150
    条件。
    I
    C
    =-100
    µ
    A
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =-60V
    V
    CB
    =-60V,
    T = 100℃
    V
    EB
    =-4V
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA*
    I
    C
    = -3A ，我
    B
    =-300mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA*
    AMB
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射
    导通电压
    静态正向电流
    传输比
    跃迁频率
    开关时间
    输出电容
    V
    V
    V
    V
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -2A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-5V
    f=100MHz
    I
    C
    = -500mA ，V
    CC
    =-10V
    I
    B1
    =I
    B2
    =-50mA
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    f
    T
    t
    on
    t
    关闭
    C
    敖包
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 234

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