欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    FZT758 参数 Datasheet PDF下载

    FZT758图片预览
    型号： FZT758
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面高压晶体管 [PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管高压局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 95 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FZT758的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT223 PNP硅平面
    高压晶体管
    第2期 - 1995年2月
    特点
    * 400伏V
    首席执行官
    * 0.5安培连续电流
    *低饱和电压
    互补式 -
    FZT658
    PARTMARKING详细信息 -
    FZT758
    C
    FZT758
    E
    C
    B
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    符号
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    分钟。
    马克斯。
    价值
    -400
    -400
    -5
    -1
    -500
    2
    -55到+150
    单位
    条件。
    单位
    V
    V
    V
    A
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射极饱和
    电压
    基极 - 发射极导通电压
    静态正向电流
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    开关时间
    V
    （ BR ） CBO
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    f
    T
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    140
    2000
    50
    50
    40
    50
    20
    典型
    典型
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    -400
    -400
    -5
    -100
    -100
    -100
    -0.30
    -0.25
    -0.50
    -0.9
    -1.0
    V
    V
    V
    nA
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    V
    I
    C
    =-100
    µ
    A
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-100
    µ
    A
    V
    CB
    =-320V
    V
    CE
    =-320V
    V
    EB
    =-4V
    I
    C
    = -20mA ，我
    B
    =-1mA
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    =-5mA*
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA*
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA*
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -1mA ，V
    CE
    =-5V
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -200mA ，V
    CE
    =-10V*
    I
    C
    = -20mA ，V
    CE
    =-20V
    f=20MHz
    V
    CB
    = -20V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -100mA ，V
    CC
    =-100V
    I
    B1
    = 10毫安，我
    B2
    =-20mA
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 - 242

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6