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    FZT789A 参数 Datasheet PDF下载

    FZT789A图片预览
    型号： FZT789A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面中功率高增益晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 85 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FZT789A的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT223 PNP硅平面介质
    功率高增益晶体管
    第3期？ 1995年10月
    特点
    *导通电阻极低的同等学历;
    R
    CE （ SAT ）
    93mΩ在3A
    200在I *增益
    C
    = 2放大器和极低的饱和电压
    应用
    *电池供电电路，快速充电转换器
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    FZT689B
    FZT789A
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    FZT789A
    C
    E
    C
    B
    价值
    -25
    -25
    -5
    -6
    -3
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    绝对最大额定值。
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C)
    击穿电压
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    饱和电压
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    -25
    -25
    -5
    -40
    -35
    -8.5
    -0.1
    10
    -0.1
    符号最小值。 TYP 。 MAX 。单位条件。
    V
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    I
    C
    =-100
    µ
    A
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-100
    µ
    A
    V
    CB
    =-15V
    V
    CB
    = -15V ，T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    =-4V
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-10mA*
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-20mA*
    I
    C
    = -3A ，我
    B
    =-100mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-10mA*
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-2V
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -2A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -6A ，V
    CE
    =-2V*
    -0.15 -0.25 V
    -0.30 -0.45 V
    -0.30 -0.50 V
    -0.8
    -0.8
    300
    250
    200
    100
    100
    225
    25
    35
    400
    800
    -1.0
    V
    V
    V
    BE （ SAT ）
    基射
    导通电压
    静态正向电流
    传输比
    跃迁频率
    输入电容
    输出电容
    开关时间
    V
    BE（上）
    h
    FE
    f
    T
    C
    IBO
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    兆赫我
    C
    = -50mA ，V
    CE
    = -5V ， F = 50MHz的
    pF
    pF
    ns
    ns
    V
    EB
    = -0.5V ， F = 1MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -500mA ，我
    B1
    =-50mA
    I
    B2
    = -50mA ，V
    CC
    =-10V
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 - 246

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