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FZT792A 参数 Datasheet PDF下载

FZT792A图片预览
型号: FZT792A
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内容描述: PNP硅平面高增益介质功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 79 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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SOT223 PNP硅平面高增益
中功率晶体管
第3期 - 1995年11月
特点
*高增益和极低的饱和电压
应用
*电池供电的电路
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
FZT692B
FZT792A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
FZT792A
C
E
C
B
绝对最大额定值
价值
-75
-70
-5
-5
-2
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25°C)
参数
击穿电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
截止电流
I
CBO
分钟。
-75
-70
-5
典型值。
-100
-90
-8.5
-0.1
-10
-0.1
-0.30
-0.30
-0.30
-0.80
-0.45
-0.50
-0.50
-0.95
MAX 。 UNIT
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
条件。
I
C
=-100
µ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
µ
A
V
CB
=-40V
V
CB
=-40V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ,我
B
=-5mA*
I
C
= -1A ,我
B
=-25mA*
I
C
= -2A ,我
B
=-200mA*
I
C
= -1A ,我
B
=-25mA*
I
EBO
饱和电压
V
CE ( SAT )
V
V
V
V
V
BE ( SAT )
3 - 250