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    FZT949 参数 Datasheet PDF下载

    FZT949图片预览
    型号： FZT949
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面高电流（高性能）晶体管 [PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 219 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FZT949的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FZT949的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FZT949的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FZT949的Datasheet PDF文件第5页  
    FZT949
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C)
    参数
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CER
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    分钟。
    -50
    -50
    -30
    -6
    典型值。
    -80
    -80
    -45
    -8
    -50
    -1
    -50
    -1
    -10
    -50
    -85
    -190
    -350
    -1100
    -900
    100
    100
    75
    200
    200
    140
    35
    100
    122
    120
    130
    -75
    -140
    -270
    -440
    -1250
    -1060
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    V
    nA
    µ
    A
    nA
    µ
    A
    nA
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    条件。
    I
    C
    =-100
    µ
    A
    I
    C
    =-1
    µ
    A， RB
    ≤
    1k
    Ω
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-100
    µ
    A
    V
    CB
    =-40V
    V
    CB
    =-40V,
    T
    AMB
    =100°C
    V
    CB
    =-40V
    V
    CB
    =-40V,
    T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    =-6V
    I
    C
    = -0.5A ，我
    B
    =-20mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-20mA*
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-200mA*
    I
    C
    = -5.5A ，我
    B
    =-500mA*
    I
    C
    = -5.5A ，我
    B
    =-500mA*
    I
    C
    = -5.5A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-1V
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -5A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -20A ，V
    CE
    =-2V*
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-10V
    f=50MHz
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -4A ，我
    B1
    =-400mA
    I
    B2
    = 400毫安，V
    CC
    =-10V
    集电极截止电流
    I
    CER
    R
    ≤
    1k
    Ω
    I
    EBO
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和V
    CE （ SAT ）
    电压
    基射
    饱和电压
    基射
    导通电压
    静态前进
    电流传输比
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    300
    跃迁频率
    输出电容
    开关时间
    f
    T
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    R
    CE （ SAT ）
    44m
    Ω
    在4.5A
    TBA

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