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    FZT968 参数 Datasheet PDF下载

    FZT968图片预览
    型号： FZT968
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面高电流（高性能）功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 100 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FZT968的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT223 PNP硅平面高电流
    （高性能）功率晶体管
    第3期？ 1995年10月
    特点
    *导通电阻极低的同等学历;
    R
    CE （ SAT ）
    44mÙ在5A
    * 6安培连续电流（高达20A的峰值）
    *高增益和极低的饱和电压
    PARTMARKING详细信息？ FZT968
    FZT968
    C
    E
    C
    B
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    分钟。
    -15
    -12
    -6
    典型值。
    -28
    -20
    -8
    -10
    -1.0
    -10
    -65
    -132
    -360
    -1050
    -870
    300
    300
    200
    150
    450
    450
    300
    240
    50
    80
    161
    120
    116
    -130
    -170
    -450
    -1200
    -1050
    1000
    马克斯。
    价值
    -15
    -12
    -6
    -20
    -6
    3
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    µ
    A
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    击穿电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    基射
    饱和电压
    基射
    导通电压
    静态正向电流
    传输比
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明）
    条件。
    I
    C
    =-100
    µ
    A
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-100
    µ
    A
    V
    CB
    =-12V
    V
    CB
    = -12V ，T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    =-6V
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-5mA*
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-50mA*
    I
    C
    = -6A ，我
    B
    =-250mA*
    I
    C
    = -6A ，我
    B
    =-250mA*
    I
    C
    = -6A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -5A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -10A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -20A ，V
    CE
    =-1V*
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-10V
    f=50MHz
    V
    CB
    = -20V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -4A ，我
    B1
    =-400mA
    I
    B2
    = 400毫安，V
    CC
    =-10V
    nA
    nA
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    跃迁频率
    输出电容
    开关时间
    f
    T
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 - 294

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