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    FZTA14 参数 Datasheet PDF下载

    FZTA14图片预览
    型号： FZTA14
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面达林顿晶体管 [NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管达林顿晶体管开关光电二极管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 27 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT223 NPN硅平面
    达林顿晶体管
    第3期？ 1996年1月
    PARTMARKING详细信息： -
    互补式： -
    设备类型FULL
    FZTA64
    FZTA14
    C
    E
    C
    B
    SOT223
    符号
    V
    CES
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    30
    30
    30
    10
    1
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    V
    A
    W
    °C
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 发射极电压
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    符号
    V
    （ BR ） CES
    I
    CBO
    分钟。
    30
    100
    100
    1.5
    1.6
    2.0
    2.0
    2.2
    10K
    20K
    5K
    170
    兆赫
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A，V
    BE
    =0
    V
    CB
    = 30V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 10V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =0.1mA*
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =1mA*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =5V*
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =0.1mA
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =5V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =5V*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =5V*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =5V*
    f=20MHz
    发射极截止电流I
    EBO
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    导通电压
    基射
    饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    V
    BE （ SAT ）
    静态正向电流ħ
    FE
    传输比
    跃迁频率
    f
    T
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    对于典型特征图看FMMT38C数据表。
    3 - 301

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