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MPSA42 参数 Datasheet PDF下载

MPSA42图片预览

型号：	MPSA42
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	NPN硅平面高压晶体管 [NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管高压IOT局域网
文件页数/大小：	2 页 / 43 K
品牌：	ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

浏览型号MPSA42的Datasheet PDF文件第2页

NPN硅平面

高压晶体管

第2期？ MARCH 94

特点

*高电压

应用

*电话拨号器电路

MPSA42

C

B

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

电子线

TO92兼容

价值

300

300

6

500

680

-55到+175

单位

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

分钟。

300

300

6

0.1

0.1

0.5

0.9

25

40

40

50

6

兆赫

pF

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

µ

A

µ

A

条件。

I

C

=100

µ

A，I

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0*

I

E

=100

µ

A，I

C

=0

V

CB

= 200V ，我

E

=0

V

EB

= 6V ，我

C

=0

I

C

= 20mA时，我

B

=2mA*

I

C

= 20mA时，我

B

=2mA*

I

C

= 1mA时， V

CE

=10V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=10V*

I

C

= 30mA时V

CE

=10V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=20V

f=20MHz

V

CB

= 20V ， F = 1MHz的

发射极截止电流I

EBO

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

V

静态正向电流ħ

FE

传输比

过渡

频率

输出电容

f

T

C

敖包

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

µ

秒。占空比

≤

2%

3-78

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