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MPSA92 参数 Datasheet PDF下载

MPSA92图片预览
型号: MPSA92
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内容描述: PNP硅平面高压晶体管 [PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管高压IOT局域网
文件页数/大小: 2 页 / 49 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号MPSA92的Datasheet PDF文件第2页  
PNP硅平面
高压晶体管
ISSUE2 ? MARCH 94
特点
*高电压
应用
*电话拨号器电路
MPSA92
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
-300
-300
-5
-500
680
-55到+175
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
分钟。
-300
-300
-5
-0.25
-0.1
-0.5
-0.9
25
40
25
50
6
兆赫
pF
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
µ
A
µ
A
条件。
I
C
=-100
µ
A,I
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0*
I
E
=-10
µ
A,I
C
=0
V
CB
= -200V ,我
E
=0
V
EB
= -3V ,我
E
=0
I
C
= -20mA ,我
B
=-2mA*
I
C
= -20mA ,我
B
=-2mA*
I
C
= -1mA ,V
CE
=10V*
I
C
= -10mA ,V
CE
=10V*
I
C
=-30mA,V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ,V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
= -20V , F = 1MHz的
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
静态正向电流ħ
FE
传输比
过渡
频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%
3-84