N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期 - FEB 94
VN2222LL
S
G
D
TO92
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
= 25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
60
150
1
±
40
400
-55到+150
单位
V
mA
A
V
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
栅源击穿
电压
门体漏
零栅压漏
电流（ 1）
静态漏源导
态电压（ 1 ）
静态漏源导
态电阻（ 1 ）
前锋
跨导（1）（ 2）
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输
电容（2）
开启时间（ 2 ） （ 3 ）
关断时间（ 2 ） （ 3 ）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
750
3.75
1.50
7.5
100
60
25
5
10
10
分钟。
60
0.6
2.5
100
10
500
马克斯。
单位
V
V
nA
µA
µA
mA
V
V
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V
DD
≈15V,
I
D
=600mA
V
DS
=25 V, V
GS
=0V
f=1MHz
条件。
I
D
= 100μA ，V
GS
=0V
ID = 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 30V, V
DS
=0V
V
DS
=48 V, V
GS
=0V
=48 V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
VDS
V
DS
=10 V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=500mA
V
GS
= 5V ，我
D
=200mA
V
GS
=10V,I
D
=500mA
V
DS
=10V,I
D
=500mA
在国家漏极电流（ 1 ）I
D（上）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
（上）
t
（关闭）
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%,
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
3-91
ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
