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ZTX1053A 参数 Datasheet PDF下载

ZTX1053A图片预览
型号: ZTX1053A
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内容描述: NPN硅平面中功率高增益晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 4 页 / 132 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZTX1053A
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止
当前
符号
V
( BR ) CBO
V
CES
V
首席执行官
V
CEV
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
分钟。
150
150
75
150
5
典型值。
245
245
100
245
8.8
0.3
0.3
0.3
17
120
180
900
825
260
300
100
420
450
150
15
140
21
90
750
30
10
10
10
25
150
250
1000
950
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=100µA
IC=100µA
IC=10mA
IC = 100μA ,V
EB
=1V
I
E
=100µA
V
CB
=120V
V
EB
=4V
VCES=120V
I
C
= 0.2A ,我
B
=20mA*
I
C
= 1A ,我
B
=10mA*
I
C
= 3A ,我
B
=100mA*
I
C
= 3A ,我
B
=100mA*
IC = 3A ,V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=2V*
I
C
= 1A ,V
CE
=2V*
I
C
= 3A ,V
CE
=2V*
I
C
= 10A ,V
CE
=2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
I
C
= 2A ,我
B
= 20mA时, V
CC
=50V
I
C
= 2A ,我
B
= ± 20mA时, V
CC
=50V
集电极 - 发射极饱和V
CE ( SAT )
电压
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
1200
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%