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    ZTX457 参数 Datasheet PDF下载

    ZTX457图片预览
    型号： ZTX457
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率高压晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管高压PC局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 39 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    NPN硅平面中功率
    高压晶体管
    第2期？ 1994年3月
    特点
    * 300伏V
    首席执行官
    * 0.5安培连续电流
    * P
    合计
    = 1瓦
    ZTX457
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    电子线
    TO92兼容
    价值
    300
    300
    5
    1
    500
    1
    -55到+200
    单位
    V
    V
    V
    A
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射
    关闭电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    分钟。
    300
    300
    5
    100
    10
    100
    0.3
    1
    1
    50
    50
    25
    75
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0*
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =200V
    V
    CB
    = 200V ，T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    =4V
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =10mA*
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =10mA*
    IC = 100mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =10V*
    兆赫
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V
    f=20MHz
    µ
    A
    发射极截止电流I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    nA
    V
    V
    V
    静态正向电流ħ
    FE
    传输比
    跃迁频率
    f
    T
    300
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    3-181

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